Beschichtungen mit individuellen MöglichkeitenSputter-Targets

Mit Sputter-Targets aus mono- und multikristallinem Silicium lassen sich funktionale, „konfigurierbare" Siliciumschichten auf verschiedene Materialien und Werkstoffe aufbringen. Je hochwertiger diese Beschichtungen werden sollen, umso wichtiger wird die Qualität der Sputter-Targets: Materialreinheit und Fertigungsgüte sind maßgebliche Erfolgsfaktoren. Gleichzeitig spielt eine auf die jeweilige Anwendung abgestimmte Kombination aus Targetmaterial, Dotierung und spezifischem Widerstand sowie Rück-/Kühlkörper eine Schlüsselrolle – zusammen mit dem passenden Bondingverfahren sowie Form und Größe des gesamten Targets.

Konstant hohe Qualität und viel Flexibilität: Mit viel Erfahrung und in engem Kundenkontakt fertigen wir hochreine mono- oder multikristalline Sputter-Targets, die genau zu Ihrem Vorhaben passen. Denn eine ideale Beschichtung braucht das richtige Zusammenspiel aus Sputter-Targets, der Kathode und den jeweiligen Einzelparametern. Die Sputter-Targets fertigen wir individuell für Ihre konkrete Anwendung. Dabei stimmen wir die genaue Konfiguration des Targets detailliert ab: Geometrie, ein möglicher Kühl- und Rückkörper sowie ein optionales, passendes Bondingverfahren ermöglichen spezifische Target-Eigenschaften. Verschiedene, individuell abgestimmte n- und p-Typ Dotierungen, u. a. mit Bor (p-Typ), Phosphor, Arsen und Antimon (n-Typ) komplettieren die Konfigurationsmöglichkeiten – die passende Antwort auf immer individuellere Anforderungen an funktionale Beschichtungen. Die Qualität jeder einzelnen Charge überwachen wir permanent mit geschultem Auge. Das Ergebnis: Silicium-Targets für absolut gleichmäßige, haltbare Beschichtungen auf unterschiedlichsten Werkstoffen – für gezielt verbesserte Materialeigenschaften oder maßgeschneiderte funktionale Schichten. Zu typischen Anwendungsbereichen zählen unter anderem die Photovoltaik, die optische und optoelektronische Industrie, Halbleitertechnik und die Flachglasfertigung. Sie werden aber auch in vielen Zweigen der Forschung und Entwicklung genutzt, um zum Beispiel Charakteristiken neuer Materialzusammensetzungen zu prüfen oder wissenschaftliche Experimente durchzuführen.


Anwendungsfälle

  • Beschichtung verschiedener Materialien

  • Verbesserung von Materialeigenschaften

  • Herstellung funktionaler Schichten


Technische Daten

Monokristallines Silicium Dotierungen Arsen, Phosphor, Antimon (n-Typ), Bor (p-Typ)
  Reinheit ≥ 5N / ≥ 99,999 %
  spez. Widerstand 0,01 – 1.000 Ohmcm
  Kristallorientierung <111> & <100>
  Abmaße einteilig max. Ø 450 mm, max. ◻ 320 x 320 mm
  Größe bei Segmentierung nach Kundenwunsch
  Dicke 1 mm bis >14 mm
Multikristallines Silicium Dotierungen Reinheit Phosphor (n-Typ), Bor (p-Typ) 5N / 99,999 %
  spez. Widerstand 0,01 – 3 Ohmcm
  Abmaße einteilig max. Ø 780 mm, max. ◻ 780 x 780 mm
  Größe bei Segmentierung nach Kundenwunsch
  Dicke 1 mm bis >14 mm

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